技术编号:6944496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在互连和在其中提供有互连的绝缘膜之间提供气隙的半导体器件和 制造半导体器件的方法。背景技术随着半导体器件的尺寸的减少,互连之间的间隙已经被减少。当互连之间的间隙 减少时,互连之间的电容增加,这导致信号延迟。作为用于减少互连之间的电容的技术的示 例,气隙被提供在互连和其中提供有互连的绝缘膜之间。美国专利申请公开No. 2008/0076258公布了如下的方法。当在绝缘膜中形成用于 掩埋互连的沟槽时,在沟槽的侧壁上形成劣化层。在形成互连之后移除劣化层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。