技术编号:6944695
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的领域及其制作工艺及装置,例如基于IV/III-V族混合 半导体化合物的多结太阳能电池。背景技术已主要通过硅半导体技术提供来自光伏打电池(也称作太阳能电池)的太阳能电 力。然而,在过去几年中,大量制造用于太空应用的III-V族化合物半导体多结太阳能电池 已加速不仅用于太空中而且用于陆地太阳能应用的此技术的发展。与硅相比,尽管III-V 族化合物半导体多结装置往往制造起来更复杂,但其具有更高的能量转换效率且通常更抗 辐照。典型的商用III...
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