技术编号：6945031
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光元件及其制造方法，以及一种半导体元件及其制造方 法，更特别地，其适用于使用Ag(Ag)电极的半导体发光元件，例如发光二极管。背景技术在使用GaN系半导体等的发光二极管中，在很多情况下，使用Ag电极作为在半导 体层中形成的电极，然而，Ag电极有以下问题。1.纯Ag基本上对氧化和硫化的耐性较低(容易与氧和硫发生反应)。从而，纯Ag 易受到从暴露环境中摄取氧和硫的影响，其反射率劣化。尤其是，利用真空蒸发法形成并且 通常用于电极形成的Ag膜...
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