技术编号：6945063
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，更具体地，涉及以氮化物半导体激光器装置 为典型的具有短发光波长的半导体。背景技术由于氮化物半导体的能带结构和化学稳定性，期望氮化物半导体(例如包括A1N、 GaN或InN等，或者包括它们的固溶体比如AlGaN或InGaN等。在本申请中它们统称为氮化 物半导体)用作发光装置或者功率器件的材料，并且这些氮化物半导体应用于信息记录设 备的光源也引起了人们的注意，这些氮化物半导体是III族元素Al、Ga或In等和V族元素 N的化合物。通过解理和分割通过...
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