技术编号：6945196
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及结构化含金属氧化物层的制法。本发明尤其涉及可用作DRAM存储器单元的存储电容器内的铁电介质或仲电介质的结构化含金属氧化物层的制造。在微电子学内制造的动态半导体存储器部件(DRAM)主要由选择晶体管或开关晶体管和存储电容器构成，其中一介电材料插入电容器两极片之间。通常多数用具有介电常数最大约为8的氧化物层或氮化物层作介质。为了缩小存储电容器，以及为了制造非易失存储器需要“新型的”电容器材料，例如具有显著高介电常数的铁电材料或仲电材料。列举一些这种材...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。