技术编号:6945364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于高集成度封装,具体涉及一种硅通孔互连集成封装技术,特 别涉及一种采用硅通孔互连技术形成的电感环。 背景技术现在,三维封装技术已经由芯片级的堆叠芯片封装(stacked die)或者堆叠封装 (packageon package)技术发展到了晶圆级的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连封 装技术。硅通孔互连技术是通过在硅片和硅片之间制作垂直通孔,然后在硅片正面和背面 形成互连微焊点,这样,多个硅片就可以直接堆叠起来而不用外部...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。