技术编号:6945404
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓基发光二极管,尤其是一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光 二极管及其制备方法。背景技术发光二极管具有体积小、亮度高、功耗小、寿命长等优点,随着功率型GaN基LED的 光效不断提高,LED灯具替代传统照明光源是大势所趋,但高亮度LED生产成本较高、发光 效率较低,因此高亮度LED仍难以大规模推广应用。中国发明专利(公开号CN1622349A)所公开的倒装芯片发光二极管及其制造方 法,倒装芯片型发光器件包括衬底、n型覆层、有源层、P型覆层、由掺杂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。