技术编号:6945451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用具有非晶态氧化物的半导体层的薄膜晶体管,并涉及包括该薄膜 晶体管的显示器和电子装置。背景技术已经调查了作为用于驱动平板显示器,诸如液晶显示器和有机EL(电致发光)显 示器的薄膜晶体管中的有源层的具有非晶态氧化物的半导体层(以下称为氧化物半导体 层)的应用,该非晶态氧化物通过使用In、Zn、Ga和0而形成。该氧化物半导体层通过汽 相沉积或溅射在室温形成,因而其可以形成在塑料基板上。此外,据说在这种类型的薄膜 晶体管中,使用Au/Ti、Pt/Ti...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。