技术编号:6945476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件刻蚀工艺领域,特别涉及一种。背景技术在芯片制造的过程中,要形成各种各样的工艺层(薄膜),包括POLY、SiO2, Si3N4, Al、光刻胶膜等。不同工艺层各具不同的光学特性,晶圆标记的原始信号将会产生很大变化。若不同层次的标记信号差异太大,势必造成某些光刻层次的对准操作困难,对准精度下降。同时,如果对准标记所在工艺层或者覆盖在对准标记上的工艺层或对准标记下的工艺层过于粗糙,就会造成对准标记周围区域都会产生与正确对准信号相似的干扰信号,...
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