技术编号:6945610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过使用等离子蚀刻穿过由有机掩模形成的介电层并随后剥除该掩 模而在半导体晶片上形成结构的方法。背景技术在半导体等离子蚀刻应用,等离子通常用来将有机掩模图案(如光刻胶掩膜图 案)转移到电路以及晶片上的超低k介电层线路图案中。这通过蚀刻掉在该掩模图案的开 口区域中该光刻胶掩膜材料下方的该超低k介电层而实现。这个蚀刻反应由化学反应物质 以及通过在包含在真空外壳中的反应剂混合物中放电而生成的带电粒子所引起,这个真空 外壳也称作反应器室。另外,还使这些离子...
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