技术编号：6945623
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件领域，特别是指一种具有纳米结构插入层的GaN基LED。 背景技术GaN基LED作为新一代照明光源，具有节能，环保等优点，可以广泛应用于各种指 示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。然而由于GaN材料与封装用环氧树 脂，环氧树脂和空气间的折射率相差较大，致使内部的全反射临界角很小(只有23. 6° )。 因为全反射原因造成大量光线无法从界面出射，而且因为上下界面平行，首次不能出射的 光线将在介质材料中反复传播直到光能全部被耗散...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。