技术编号:6945720
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其制造方法和使用它的电源装置,尤其涉及适用于功率 MOSFET和使用它的电力变换用的电源装置的有效技术。背景技术现在,在向个人计算机或服务商的CPU(中央处理单元)供给电力的开关电源(以 下称VR,即Voltage Regulator)中使用沟槽MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) (例如专利文献1、专利文献2)。沟槽MOSFET与平面MOSFET (例如非专利文献1)相比,由 于单元间距小,所以具有每单位面积的沟槽宽度大、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。