技术编号:6945746
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于ZnO薄膜场效应晶体管的制备方法,属于无机非金属材料器 件制备工艺。背景技术随着信息技术的迅猛发展,能工作在高温、高频、大功率、强辐射等恶劣条件下的 “极端光电子学”器件的需求正急剧增长,这对材料的性能提出了更高的要求。以Si和GaAs 为代表的传统半导体材料,由于受材料性能所限,在高温、高频、大功率领域越来越显示其 局限性,且不适宜于强辐射及化学环境恶劣等条件。在宽禁带半导体中,ZnO是最有前途的光电材料之一,其室温下禁带宽度为 3. ...
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