技术编号:6945846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更具体的,本发明涉及横向扩散型金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管及其制作方法。背景技术作为一种兼容标准CMOS制作工艺的晶体管,LDMOS晶体管被广泛应用于各种高压电路及射频电路。与普通MOS晶体管相比,LDMOS晶体管在源极与漏极间的沟道区中形成有轻掺杂的漂移区,所述轻掺杂的漂移区具有较高的电阻,漂移区中的均勻电场维持载流子以饱和速度通过。LDMOS晶体管具有较高的击穿电压,因此,LDMOS晶体管非常适合应用于高压电路。申请号为200...
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