技术编号:6946178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种LED (发光二极管)衬底及其制备方法。背景技术目前,GaN(氮化镓)基LED(Light Emitting Diode,发光二极管)的内量子效率一般可以达到70%以上,但是由于生长在蓝宝石衬底上的GaN基LED的提取效率(外量子效率)相对较低,因此直接影响到GaN基LED的整体出光效率。针对这一问题,现有技术中存在如下改进方案首先,在GaN基LED的蓝宝石衬底上通过一定的刻蚀工艺来制备图形化衬底(Patterned ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。