技术编号:6946334
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种。背景技术传统的沟槽型功率晶体管的结构如图1所示,其在基底1上形成有外延层2垫氧化层3以及氮化硅硬式掩膜层或氧化物硬幕罩层4,并通过干蚀刻定义有沟槽区域5。现有技术中干蚀刻形成沟槽5后,会直接进行角部圆滑蚀刻,再通过BOE (含氟离子溶液)将表面的氧化物硬幕罩层4去除,然后再进行生长牺牲氧化层、去除牺牲氧化层、生长栅氧化层和栅极多晶硅层的工艺。由于在干蚀刻后,会有成分为Si和0的副产物附着在沟槽侧壁,在随后的角部圆滑...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。