技术编号:6946795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体装置,且特别是有关于一种适用于相当高的电压施加的半导体装置。背景技术功率晶体管,例如横向(双)扩散金属氧化半导体(lateral diffusedmetal-oxid e-semiconductor,LDM0S)晶体管与漏极延伸 MOS(DrainExtension M0S,DEMOS)晶体管,通常被使用在高电压施加中。理想上可将一功率晶体管设计成具有相当高的击穿电压与相当低的导通电阻。然而,高击穿电压与低导通电阻可能是功率晶体管的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。