技术编号:6946842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有由非晶氧化物形成的沟道层并具有适用于显示器件等的晶体管 特性的场效应晶体管。背景技术场效应晶体管(在下文中有时称为“FET”)具有栅电极、源电极、以及漏电极。另外,场效应晶体管是有源器件,其中,通过把电压施加到栅电极来控制在沟道层中流动的电 流、即在源电极和漏电极之间流动的电流。具体地,使用在陶瓷、玻璃、或者塑料的绝缘基底 上形成的薄膜作为沟道层的FET被称为薄膜晶体管(在下文中有时称为“TFT” )。通过使用形成薄膜的技术,可以把TFT有益...
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