技术编号:6946886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及一种。 背景技术随着半导体集成电路制造工艺的日益进步,栅极的尺寸越来越小,导电沟道也越来越短,形成的PN结漏电流对半导体器件结构的性能的影响也越来越明显。若不改变半导体器件的组成成分或结构,仅单纯的按比例缩小半导体器件会因其饱和漏电流(IDSS)过大而变得不可行,所以半导体器件在按比例缩小的同时会改变一些构件的成分或结构来减小IDSS。典型的半导体器件结构可以是互补性金属氧化物(CMOS)器件结构。该CMOS器件结构包括栅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。