技术编号:6946929
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及半导体结构及其制造工艺。 背景技术半导体器体的尺寸是有限的,在从晶片上切割时,边缘上的晶格结构会被破坏。对 于功率器件,如果被破坏的晶格与需要承受高压的结(junction)有关,就会导至较高的漏 电流,从而降低击穿电压和稳定性。这个问题可以用过在功率器件的边缘制造特殊的半导体结构来解决,从而使高压 结的耗尽区(depletion regions)不与有晶格缺陷的切割带相交。这种半导体结构被称为 终端结构(Edge Termi...
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