用于半导体器件的电网结构及其制造方法技术资料下载

技术编号:6947130

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本发明一般地涉及半导体器件制造领域,具体地,涉及向半导体器件提供电功率 的电网结构及其制造方法。背景技术随着诸如晶体管(例如,硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)和/或各种类型的 场效应晶体管(FET))的半导体器件的性能的不断改进,对各种类型的半导体器件的电功 率或电流供给的需求也不断增加。通常,通过一组电互连供给在半导体芯片上制造的这些 半导体器件所使用的电流,这组电互连的作用就像半导体芯片的“电网”,因此在下文中也 如此称呼这组电互连。电网将电...
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