技术编号:6947290
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体材料的生长方法,特别是一种Y面 LiAlO2衬底上非极性m面GaN半导体材料的金属有机化合物化学气相淀积MOCVD生长方法, 可用于制作非极性GaN基的半导体器件。背景技术III-V族氮化物及其合金如GaN、AlN、InN在光电子和微电子领域都取得了巨大的 进展,这些材料可以在高温和比较恶劣的环境下工作,具有广阔的应用前景,是目前研究的 热点,特别是GaN材料已经广泛应用于发光二极管和微波功率器件中。目前常规的GaN是 在极性面...
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