技术编号:6947319
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双导通半导体组件,尤指一种具有较低的导通电阻 (on-resistance)的双导通半导体组件。背景技术传统双导通半导体组件(bilateral conduction semiconductor device)是设置于电池中,且于电池的充放电过程中用于保护电池,以免于电池因充放电而损坏。为了具有保护电池的功效,传统双导通半导体组件可由两个N型功率金氧半导体场效应晶体管 (MOSFET)所构成,且各N型功率MOSFET的漏极电性连接在一起。各N...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。