技术编号：6947397
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备领域，尤其涉及一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体 材料制备方法。背景技术随着航天技术的飞速发展，应用在辐射环境下的电子学系统越来越多，由于辐射 能够造成电子元器件和集成电路性能的退化和改变，从而影响由此组成的电子学系统的可 靠性、缩短系统的寿命，严重时甚至会导致任务的失败。对于在轨运行的航天器来讲，辐射 将会造成短时功能失效和缩短在轨运行寿命。SOI (绝缘体上的硅SiliCon-On-Insulator 或绝缘体上的半导体Aemic...
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