技术编号:6947432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言涉及半导体器件制造领域,更具体而言,涉及通过应用硬掩模遮 蔽(shadowing)来制造不对称场效应晶体管的方法。背景技术伴随着半导体集成电路(IC)技术的近期的进步,电子器件和/或产品已经能够获 得由用于制造该电子器件和/或产品的各种集成电路所提供的更低的功率消耗和更高的 性能。通常,各种集成电路的功率消耗和性能源自/或依赖于集成电路所包含的部件(电气 结、布线、电介质等等)的电容、电阻以及泄漏电流、以及集成电路所包括的各种晶体管(例 如,...
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