技术编号:6947673
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。可靠接点本发明总体涉及用于集成电路(IC)中锗化物接点的形成。更具体地说,本发明涉 及用于集成电路中镍基锗化物接点的改进形成。背景技术图1表示常规CMOS IC的一部分100。该部分包括形成在硅基板101上的第一和 第二互补晶体管120和140。第一晶体管是形成在深p掺杂井121上的n-MOS晶体管,同时 第二晶体管是形成在深n掺杂井141上的p-MOS晶体管。浅p掺杂井122在n_M0S晶体管 的下方,同时浅n掺杂井位于p-MOS晶体管142下方。浅沟槽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。