技术编号:6947775
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术,特别涉及一种。背景技术半导体器件制造的前段工艺中,在晶圆的硅衬底上形成栅极后,就需要制造侧墙来环绕栅极,防止后续在硅衬底上采用离子注入工艺得到在硅衬底内的源漏(S/D)极过于接近栅极下方在硅衬底上的沟道而可能发生源漏穿通。在晶圆上形成栅极的侧墙以后,采用离子注入工艺在硅衬底内得到S/D极,然后再采用自对准硅化物步骤在硅衬底上裸露的源、漏和栅极上形成硅化物,在可提供稳定接触结构、减少源漏极接触电阻的基础上,完成半导体器件制造的后...
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