技术编号：6947776
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种。 背景技术在半导体器件的制作过程中，常常涉及对晶圆表面进行氧化处理。通过适当的制造控制，所形成的氧化层具有高质量和稳定的介质特性。由于这些特性，氧化工艺在半导体器件的制作过程是至关重要的，特别是对于金属氧化物半导体(MOS)工艺中的栅结构氧化。图1为现有技术对流程图，结合图加 图2c所示的对栅结构氧化的剖面示意图，对该方法进行详细说明步骤101、在晶圆的硅衬底101上依次沉积栅氧化层102及多晶硅层103，如图加所示；在本步...
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