技术编号：6947909
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及集成电路(IC)，并且更具体地说，涉及拆分(SingUlating)IC 管芯(die)。背景技术低k和超低k电介质以及铜金属化被用于改进前沿硅技术中的性能。尽管它们分 别提供了较低的介电常数和电阻率，但铜互连部和这些电介质的堆叠可能在机械特性方面 脆弱。这种脆弱性起因于相对于二氧化硅和掺氟二氧化硅的低k和超低k电介质的较低的 破裂韧度，以及电介质的不同层之间以及电介质与铜之间的粘着强度的降低。这些特性可 能导致利用低k电介质的IC的显著产...
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