技术编号：6947940
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SOI高压功率器件的制备方法，特别涉及一种具有沟槽结构的 SOI高压功率器件芯片的制备方法。背景技术功率集成电路有时也称高压集成电路，是现代电子学的重要分支，可为各种功率 变换和能源处理装置提供高速、高集成度、低功耗和抗辐照的新型电路，广泛应用于电力控 制系统、汽车电子、显示器件驱动、通信和照明等日常消费领域以及国防、航天等诸多重要 领域。其应用范围的迅速扩大，对其核心部分的高压器件也提出了更高的要求。由于功率集成电路常常结合了高压功率晶体管...
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