技术编号:6948000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路,具体涉及一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的 集成电路及其制造方法,适于30纳米技术节点以下制造技术。背景技术如今的集成电路器件技术节点已经处于50纳米左右,金属_氧化物_硅场效应晶 体管(M0SFET)的尺寸不断变小,单位阵列上的晶体管密度也越来越高,随之而来的短沟道 效应也愈加明显,它使得晶体管的漏电流上升、阈值电压降低,增加了集成芯片的功耗。当 沟道长度下降到30纳米以下时,有必要使用新型的器件以获得较小的漏电流,从而降低芯 片功...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。