技术编号:6948248
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及一种绝缘体上半导体 (SOI)衬底,该SOI衬底包括附加掺杂层(特别是外延层),适用于例如图像传感器的光电应用。背景技术在光电子学中,需要专用的衬底用于例如图像传感器,诸如背照式CMOS图像传感 器(BCIS),它们可以应用于摄像机或照相机。在这些衬底中,光子可以由形成在SOI衬底的 器件层中的图像传感器收集。在一些器件中,包含图像传感器的SOI器件层被转移到最终 衬底以暴露传感器的背面及便于有效收集光子。在现有技术中,采用η型施主衬底...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。