技术编号：6948505
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种离子植入系统及一种半导体制造方法，其用于植入由N-型掺杂 剂簇离子的簇构成的离子束以及带负电荷的簇离子束。背景技术半导体器件的制造会部分地涉及到在半导体衬底中引入杂质以形成掺杂区域。所 选杂质元素应与半导体材料适当结合形成电载流子并改变半导体材料的导电率。其中，电 载流子既可为电子(由N-型掺杂剂产生)亦可为空穴(由P-型掺杂剂产生)。所引入掺 杂剂杂质的浓度会决定由此得到的区域的导电性。为形成晶体管结构、绝缘结构及其他此 等电子结构(其统统...
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