技术编号:6948581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种半导体装置的制造方法,且特别是关于一种于浅沟槽隔离结构 中形成底部孔洞的方法。背景技术间隙与沟槽(例如在浅沟槽隔离结构中出现的间隙与沟槽)通常用于半导体装置 上的电性隔离组件。浅沟槽隔离结构可包含形成于半导体基板的隔离区内的沟槽或间隙, 半导体基板的隔离区是由介电材料填满以防止附近组件结构(例如晶体管、二极管…等) 的电性耦合。随着集成电路上组件密度的持续提升,组件结构间的距离与大小逐渐缩减。然 而,浅沟槽隔离结构的垂直高度的缩减速度通常较...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。