技术编号:6948858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造,特别涉及一种用于分析通孔型金属互连的电迁移可靠性的测试结构。背景技术可靠性测试有两个主要作用①评估器件实际的工作寿命;②为工艺提供器件退化失效机理,从而优化工艺。芯片级可靠性(WLR,Wafer Level Reliability)它是在芯片制造工艺完成后或过程中对可靠性参数进行测试,与传统可靠性测试比较,这种测试相当于一种在线测试。WLR可以具体地对不同的可靠性问题分门别类进行监控,因此可以及时为工艺提供可靠性方面的测试数据...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。