技术编号：6948859
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备工 艺。背景技术大规模生产的常规太阳电池很难突破18%的稳定效率，因此，国内外广泛开展了 提高晶体硅太阳电池效率的研究工作。其中，选择性发射极是一种行之有效的方式。目前，选择性发射极太阳电池的制备工艺众多。发射极的制备方法大致可以分 为两步扩散法和一步扩散法。如南京中电(专利公开号CN 10110193A)先采用低浓度扩 散，然后热生长二氧化硅层，并在二氧化硅层上腐蚀出电极图案，之后采用重...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。