技术编号:6948909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场效应管(MOSFET)的制作工艺,尤其涉及一种S0N(SiliCon On Nothing)结构的MOSFET的制作工艺,属于半导体制造。背景技术SOI (Silicon On Insulator)是指绝缘体上硅技术,由于SOI技术减小了源漏的寄生电容,SOI电路的速度相对传统体硅电路的速度有显著的提高,同时SOI还具有短沟道效应小,很好的抗闭锁性,工艺简单等一系列优点,因此SOI技术已逐渐成为制造高速、低功耗、高集成度和高可靠超大规模硅集...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。