技术编号：6949172
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池结构及制作工艺，尤其是一种降低表面复合减反 膜电池的工艺。背景技术晶体硅太阳能工艺开发中会引入RIE制绒工艺(等离子体反应刻蚀)相对于一般 使用的化学液体腐蚀制绒可以增加其光吸收量，一般制绒后反射率可控制在10%以下，ARC 后反射率可控制在4%以下，但同时会增加硅片的表面损伤，加剧其表面复合，从而降低电 池的Voc，Isc等性能。所以工艺中一般要处理好ARC镀膜前的处理，在对电池片正面做好 其ARC (表面减反射膜)的减反调节的同时做...
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