技术编号:6949361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种,此种半导体结构涉及鳍型场效应晶体管(FinFET)。背景技术集成电路即IC技术的不断进步,集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几十几百个进化到现在的数以百万计。目前IC的性能和复杂度远非当初所能想象。为了满足复杂度和电路密度的要求(即集成到确定区域内的器件数量),最小的特征尺寸,也就是公知的器件的“几何线宽”随着工艺技术的革新而越来越小。如今,MOS晶体管的最小线宽已经小于65纳米。随着晶体管的尺寸的不断缩小,对于...
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