技术编号:6949654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池,尤指一种以整个半导体基 板为太阳能电池,该半导体基板具有数个深孔洞,不必使用埋藏式电极(buriedcontact)。背景技术请参阅图5所示,已知的基板式太阳能电池通常包含一半导体基板7,其中是以 一 N型半导体层71与一 P型半导体层72,形成一 P-N接面(P-Njunction) 73,并包含一 前电极74及一背电极75。当太阳光照射电池正面76时,入射光穿透该电池正面76并 在靠近电池表面区被吸收,产生...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。