技术编号:6949873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法,特别涉及。 背景技术半导体集成电路(IC)制造工艺过程,包括三个基本组成部分,即半导体器件制作、互连和半导体器件隔离。其中,半导体器件隔离的作用是使每个半导体器件都能彼此独立地工作。目前普遍采用的半导体器件隔离技术是浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)技术。浅沟槽隔离技术是在晶片的衬底中刻蚀出沟槽后,以绝缘材料,例如二氧化硅填充沟槽形成STI。在晶片的衬底中,STI的两侧被定义为半导体器件的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。