技术编号:6949878
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造,具体涉及一种垂直二极管以及其加工方法。 背景技术垂直二极管(vertical diode)作为高密度存储单元,经常被应用在动态随机存取器DRAM、非易失性的磁性随机存储器MRAM、电阻非易失性存储器RRAM以及相变非易失性存储器PCRAM之中。垂直二极管的结构如图1所示在η型硅衬底101上方的氧化硅层102 中的氧化硅凹槽内,由下至上分别成型有η型沉积硅层103,ρ型沉积硅层104以及GST层 105。其中的GST层105中的GST...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。