技术编号:6949963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电探测器,涉及一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术,在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层表面上增加透明导电的薄膜层,并在透明导电的薄膜层上施加电压作为半导体光电探测器工作的辅助电压的方法, 以提高半导体光电探测器短波响应。特别是,该技术能有效地提高硅等半导体蓝绿光电探测器,或蓝紫光电探测器的响应度。背景技术在以N型单晶硅,或N型多晶硅半导体材料为衬底,制造的p-n结(ρ在η上), p-i-n,APD或CCD硅半导体光电探测器中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。