技术编号:6950610
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物半导体器件。更具体而言,本发明涉及一种使用至少表面 由氮化物半导体形成的半导体衬底的氮化物器件,以及这种氮化物半导体器件的制造方法。背景技术氮化物半导体例如GaN、AlGaN, GaInN和AlGaInN特征在于具有比AlGaInAs基或 AlGaInP基半导体大的带隙Eg,还在于是直接跃迁半导体材料。由于这些原因,氮化物半导 体作为用于制造半导体发光器件的、例如能在从光谱的紫外到绿色区的短波处发光的半导 体激光器和覆盖从光谱的紫外到红...
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