技术编号:6950725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种发光二极管,尤其是一种具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光 二极管及其制作工艺。背景技术发光二极管(英文为Light Emitting Diode,简称LED)是利用半导体的P-N结电 致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、亮度高、功耗小、寿命长、工作电 压低、易小型化等优点。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED开发成功以来,随着研究 的不断进展,其发光亮度也不断提高,应用领域也越来越广。随着功率型GaN基LED的效率 不...
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