技术编号：6950834
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及。背景技术目前业界将硅锗的选择性外延生长工艺应用在半导体工艺上，以增加载流子的迁移率和成本效益。埋置硅锗(SiGe)技术对于生产基于硅的高性能晶体管来说已经成为一种有前景的技术。锗原子的半径比硅原子的半径大，所以当锗原子取代部份硅原子，进入硅的晶格(lattice)中时，整个晶格会因此而扭曲。在载流子的电荷密度相同时，晶格扭曲的硅或硅锗合金和单晶硅比起来，其电子和空穴的移动性都大幅增加，分别增加5和10倍左右，如此...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。