技术编号:6950939
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及。背景技术随着集成电路关键尺寸的持续缩小、集成度不断提高,铜已经逐步取代Al成为新一代互连金属材料。然而,由于铜在Si和Si基氧化物介质中,在低温下即可扩散生成深能级杂质,对器件中的载流子具有很强的陷阱效应,使器件性能退化甚至失效。因此,在铜和Si或Si基氧化物介质之间必须要增加金属阻挡层,起到阻止铜扩散以及改善铜与Si或Si基氧化物介质结合性能的作用。目前,实际工业中常用的金属扩散阻挡层是Ta/TaN双层薄膜,这种双层薄...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。