技术编号：6951218
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及的发明，例如能够应用于要 求高耐压的功率半导体元件。背景技术在高耐压的二极管、双极晶体管、功率MOSFET和IGBT等的高耐压半导体装置的结 终端部分，需要缓和主结表面附近的耗尽层端部的电场。为了该耗尽层端部的电场缓和， 在现有技术中，采用场板结构、RESURF (Reduced Surface Field，降低表面电场以下，称为 RESURF)层的形成结构。例如，在专利文献1中，公开了通过组合场板结构和RESURF层形成结构，使元件耐 压提高...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。