技术编号:6951280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术在功率半导体器件中需要使基极以及源极终端化。例如,在日本特开2009-505434 号公报中公开了如下内容为了在元件区域上有选择地形成源极区域,使用掩膜注入源极 掺杂剂。即,为了决定源极区域,需要通过光刻以及蚀刻来制作掩膜。源极区域不形成在终 端区域上。因此,不能够通过共通的相同工序来形成元件区域的构造和终端区域的构造,工 序数增加,成本提高。发明内容本发明鉴于上述问题而做成,其目的在于,提供一种能够通过共通的相同工序来 形成元件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。