技术编号:6951827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体功率器件的结构和制备方法。更确切地说,本发明是关于 集成肖特基二极管的半导体功率器件的器件结构和制备方法,无需额外的掩膜,以便缩短 关闭时间,降低功率损耗。背景技术迫切需要通过作为内部二极管,集成肖特基二极管,来实现半导体功率器件。更确 切地说,如图IA所示,由于P+、P-和N-外延层构成的嵌入式体二极管,使得HV MOSFET像 一个带有负漏极-至-源极电压Vds < 0的P-i-N 二极管。从P-本体区,高能级注入到 N-外延...
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